近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關器件的性能。
Source：羅姆
近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。
在這種背景下，羅姆進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅動控制IC技術。
目前，羅姆正在推動應用該技術的控制IC產(chǎn)品轉化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過將其與羅姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相結合，將會為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設備和無人機等眾多應用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。