韓國首家氮化鎵射頻芯片IDM廠商IPO

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 12 日 10:25 | 分類 射頻

據(jù)韓媒報道,10月10日,氮化鎵(GaN)射頻芯片廠商WAVICE在韓國首爾舉行了IPO新聞發(fā)布會。

資料顯示,WAVICE成立于2017年,公司專注于GaN半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)技術(shù)開發(fā)。目前公司產(chǎn)品包括GaN HEMT芯片、已封裝的GaN TR以及射頻模塊,可應(yīng)用于航空航天、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、ISM和廣播以及射頻能量領(lǐng)域。

與硅 (Si)、砷化鎵 (GaAs) 和 碳化硅(SiC)等半導(dǎo)體相比,GaN射頻半導(dǎo)體具有處理射頻功率放大功能的優(yōu)勢。在決定射頻功率放大性能的帶隙、擊穿電壓和電子遷移率方面,可以實現(xiàn)器件的高輸出、高頻和小型化。

GaN射頻半導(dǎo)體的主要應(yīng)用包括先進武器系統(tǒng)、反無人機、移動通信基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星和航空航天。

WAVICE執(zhí)行董事Seung-Jun Lim表示:“WAVICE是韓國第一家也是唯一一家GaN射頻集成半導(dǎo)體公司(IDM),公司擁有自己的晶圓廠,并通過芯片、封裝晶體管和模塊三大業(yè)務(wù)之間的有機內(nèi)部反饋,在產(chǎn)品技術(shù)、性能和價格方面具有競爭優(yōu)勢?!?/p>

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

報道稱,WAVICE參與了多個先進武器系統(tǒng)開發(fā)項目,開發(fā)項目已于去年完成現(xiàn)場測試并開始轉(zhuǎn)為量產(chǎn)項目。WAVICE預(yù)計,公司很可能會收到此類后續(xù)項目的訂單,并且還將受益于韓國國防半導(dǎo)體國產(chǎn)化和擴大國防工業(yè)出口的政策。

去年,WAVICE的銷售額為169億韓元(折合人民幣約8900萬元),營業(yè)虧損為95億韓元(折合人民幣約5000萬元)。不過,WAVICE預(yù)計,通過其參與項目的量產(chǎn),到2026年,累計銷售額將有可能達到1022億韓元(折合人民幣約5.36億元)。

此外,WAVICE向印度等海外市場的擴張也被外界認為是業(yè)績增長的驅(qū)動力之一。WAVICE于2019年開始將其產(chǎn)品商業(yè)化,并于2020年進入印度。公司目前正尋求向以色列、土耳其和意大利出口相關(guān)產(chǎn)品。

未來,WAVICE計劃以GaN射頻半導(dǎo)體IDM業(yè)務(wù)為基礎(chǔ),在韓國和海外市場(重點是印度)擴大先進武器系統(tǒng)和反無人機產(chǎn)品的銷售。該公司還計劃將代工服務(wù)擴展到無晶圓廠,并擴大衛(wèi)星和航空航天以及5G~6G下一代移動通信基礎(chǔ)設(shè)施市場的銷售。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。