“復(fù)旦系”碳化硅項目獲突破,清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 02 月 06 日 17:47 | 分類 碳化硅SiC

2月3日,“復(fù)旦大學(xué)寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目-清純半導(dǎo)體研發(fā)基地啟用儀式”成功舉辦。

據(jù)了解,項目總面積4600平米,建設(shè)四大實驗平臺:一樓建設(shè)器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺;三樓建設(shè)可靠性及應(yīng)用平臺;四樓建設(shè)器件測試及老化平臺。

Source:清純半導(dǎo)體

實驗室總規(guī)劃面積超2500平米,配備了國際領(lǐng)先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設(shè)備,平臺總投入近億元,具備支撐月產(chǎn)近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。

清純半導(dǎo)體成立于2021年3月,是一家聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片的高科技設(shè)計公司,專業(yè)從事高端SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,于12月完成由高瓴創(chuàng)投領(lǐng)投的數(shù)億元首輪融資。

公司擁有國際領(lǐng)先水平的SiC器件設(shè)計及工藝團隊,核心團隊從事SiC工藝和器件20余年,研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多代SiC功率器件,并通過車規(guī)級測試。

成立以來,清純半導(dǎo)體突破不斷。先后推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動SiC MOSFET及國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET,并通過AEC-Q101車規(guī)認證和HV-H3TRB測試。

當(dāng)下,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來爆發(fā)。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,為進一步提升電動汽車動力性能,全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC功率元件,并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。

隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù),TrendForce集邦咨詢預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4億美元。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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