Author Archives: huang, Mia

嘉晶電子8英寸碳化硅外延片預(yù)計Q4送樣
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 17:29 | 分類 企業(yè)
9月12日，據(jù)MoneyDJ報道，嘉晶電子今年上半年硅外延營收年減12%，展望明年，公司認為，硅外延明年需求將逐漸恢復(fù)。 在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來需求會逐步上升，應(yīng)用市場包括在電動車、AI、資料中心、機器人等，估化合物半導(dǎo)體的...  [詳內(nèi)文]

全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 14:55 | 分類 企業(yè)
9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。 source：英飛凌 英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動氮化鎵功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。 英飛凌表示，12英寸晶圓與...  [詳內(nèi)文]

六大院士專家“劇透”：第三代半導(dǎo)體及先進封裝產(chǎn)業(yè)的趨勢和機遇
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 10:31 | 分類 企業(yè)
第2屆第三代半導(dǎo)體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進半導(dǎo)體展 “芯”材料 新領(lǐng)航 11月6-8日，深圳國際會展中心（寶安） 主辦單位 中國生產(chǎn)力促進中心協(xié)會新材料專業(yè)委員會 DT新材料 聯(lián)合主辦 深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 支持單位 粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟 橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

5.5億，晶圓代工大廠世界先進進軍碳化硅
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:43 | 分類 企業(yè)
9月10日，晶圓代工大廠世界先進宣布，擬投資24.8億新臺幣（折合人民幣約5.5億元），以獲取漢磊科技公司（下文簡稱“漢磊”）13%的股權(quán)。雙方將進行策略合作，共同推動8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。 source：漢磊 資料顯示，漢磊位于中國臺灣新竹科學(xué)園，專注...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢基地主體樓全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:40 | 分類 功率
9月10號晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長飛先進 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設(shè)計、制造及先進技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，...  [詳內(nèi)文]

合盛硅業(yè)碳化硅長晶技術(shù)研發(fā)中心大樓封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 17:55 | 分類 企業(yè)
據(jù)合盛硅業(yè)官微消息，近日，合盛硅業(yè)全資子公司合盛硅業(yè)（上海）有限公司研發(fā)制造中心項目主體順利封頂。 source：合盛硅業(yè) 據(jù)悉，該項目位于上海市嘉定區(qū)南翔鎮(zhèn)永樂片區(qū)，總建筑面積4萬多平方米。項目于2023年3月破土動工，目前項目主體已全部完成封頂作業(yè)，正在進行內(nèi)部地坪澆筑作業(yè)...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed發(fā)力光儲
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 17:50 | 分類 企業(yè)
9月9日， Wolfspeed推出了一款2300V碳化硅模塊，旨在通過提高效率、耐用性、可靠性和可擴展性，推動可再生能源、儲能和大容量快速充電領(lǐng)域發(fā)展。 source：Wolfspeed Wolfspeed指出，用于1500V直流母線的2300V無底板碳化硅電源模塊，采用了Wo...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵，新輔助？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 14:37 | 分類 功率
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。 圖片來源：信越化學(xué) 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]

交付/升級，2家碳化硅設(shè)備企業(yè)有新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 8:45 | 分類 企業(yè)
近日，在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，國內(nèi)兩家企業(yè)取得了新進展——中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付。 關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級 近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。 據(jù)中國電科官方消息，碳化硅...  [詳內(nèi)文]

上海昆芯公司碳化硅MOS應(yīng)用于北美電動方程式賽車
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 8:43 | 分類 企業(yè)
昨（9）日， 昆芯（上海）科技有限公司（下文簡稱“昆芯”）宣布，公司碳化硅MOS成功被加拿大多倫多大學(xué)選為電動方程式賽車主驅(qū)逆變系統(tǒng)的核心部件。 昆芯推出的1200V碳化硅MOS芯片通過國際首創(chuàng)的原胞設(shè)計，展現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗和高溫自適應(yīng)的開關(guān)損耗，實現(xiàn)了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙降低。...  [詳內(nèi)文]