近日，據報道，電子科技大學研究團隊與清華大學、中國科學院合作，在國際上首次研制出氮化鎵（GaN）量子光源芯片，這也是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網研究平臺取得的又一項重要進展。
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據悉，量子互聯(lián)網與傳統(tǒng)互聯(lián)網相比，由于利用“量子隱形傳態(tài)”或“量子離物傳態(tài)”等獨特原理和資源進行信息傳遞，具備信息傳輸更加安全可靠、信息獲取更加準確低噪、信息處理更加快速高效等優(yōu)勢。而量子光源芯片是量子互聯(lián)網的核心器件，可以看作點亮“量子房間”的“量子燈泡”，讓聯(lián)網用戶擁有進行量子信息交互的能力。
電子科技大學研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。
目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破，輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。
據介紹，這項研究成果意味著“量子燈泡”可以點亮更多房間。通過為量子互聯(lián)網的建設提供更多波長資源，可以滿足更多用戶采用不同波長接入量子互聯(lián)網絡的需求。
近期，該研究團隊還將光纖通信波段固態(tài)量子存儲的容量提升至1650個模式數。這一系列研究進展，將為大容量、長距離、高保真量子互聯(lián)網的建設提供關鍵器件基礎。（來源：川觀新聞，集邦化合物半導體整理）
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