7月30日，據(jù)香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司（以下簡稱麻省光子技術）聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動儀式。
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儀式上，專注研發(fā)氮化鎵外延技術的麻省光子技術宣布，該公司計劃于香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于香港科技園微電子中心（MEC）開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元（約1.85億人民幣），帶動第三代半導體產業(yè)鏈發(fā)展。
據(jù)介紹，麻省光子技術將聯(lián)合香港微電子專家開發(fā)下游的氮化鎵光電子和功率半導體器件。通過新產品的中試研發(fā)和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，目標是三年內完成中試并啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設，實現(xiàn)年產1萬片8英寸氮化鎵晶圓產能，將香港制造的外延片產品推向全球市場。
據(jù)了解，第三代半導體是香港近年來重點發(fā)展的科技領域?；顒又?，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東表示，香港微電子研發(fā)院將于今年內成立，并設立碳化硅（SiC）和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助企業(yè)進行試產、測試和認證，促進產、學、研合作。
此前據(jù)港媒報道，今年5月，香港立法會財務委員會批準了高達28.4億港元（約26.32億人民幣）的撥款，用于設立一個專注于半導體研發(fā)的機構——香港微電子研發(fā)院。據(jù)報道，香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導體，包括碳化硅和氮化鎵，該研究中心將率先在大學、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導體進行合作。
除投資設立第三代半導體研究機構外，香港還引入了第三代半導體碳化硅相關廠商。2023年10月，香港科技園與杰平方半導體簽署合作備忘錄，雙方將在香港科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首家8英寸碳化硅先進垂直整合晶圓廠。
據(jù)杰平方介紹，該8英寸碳化硅先進垂直整合晶圓廠項目總投資約69億港元（約63.94億人民幣），計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓。
而通過本次引入氮化鎵廠商麻省光子技術，香港有望進一步深化第三代半導體產業(yè)布局，形成碳化硅、氮化鎵雙線發(fā)展態(tài)勢。（集邦化合物半導體Zac整理）
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