8月26日，青島中微創(chuàng)芯電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微創(chuàng)芯”）宣布其已完成Pre-B輪融資。此次融資由青島國(guó)信領(lǐng)投，源創(chuàng)投資與云暉舜和跟投，標(biāo)志著中微創(chuàng)芯在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程邁入了新的發(fā)展階段。
資料顯示，中微創(chuàng)芯是一家專注于新型功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的高科技公司，核心業(yè)務(wù)包括：lGBT、coolmos、SiC等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)，專業(yè)從事高端智能功率模塊(Intelligent Power Module，lPM)的設(shè)計(jì)、制造和銷售，系統(tǒng)應(yīng)用解決方案的提供。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、新能源汽車、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能和白色家電等領(lǐng)域。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
目前，公司在青島西海岸新區(qū)的高端智能功率模塊IPM制造及功率芯片研發(fā)項(xiàng)目，占地43畝，總建筑面積73700平方米，達(dá)產(chǎn)后每年產(chǎn)值15億元。一期建筑面積17697平方米，年產(chǎn)1500萬(wàn)顆IPM生產(chǎn)線已經(jīng)投產(chǎn)。
據(jù)悉，中微創(chuàng)芯已掌握了600V-1700V市場(chǎng)主流的四代-六代及第七代IGBT芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，同時(shí)不斷探索以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)技術(shù)。
此次融資的完成，有助于公司進(jìn)一步加大在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研發(fā)和市場(chǎng)推廣力度。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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