10月16日，為期三天的首屆SEMiBAY灣芯展——灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心（福田）盛大開(kāi)幕。首屆SEMiBAY灣芯展打造了晶圓制造、封裝測(cè)試、化合物半導(dǎo)體、汽車(chē)半導(dǎo)體、EDA/IP與設(shè)計(jì)服務(wù)、零部件等6大主題展區(qū)，覆蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)以及市場(chǎng)熱點(diǎn)領(lǐng)域，全方位展示行業(yè)前沿技術(shù)、創(chuàng)新成果、最新產(chǎn)品與解決方案以及市場(chǎng)應(yīng)用。
集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國(guó)內(nèi)碳化硅材料（襯底/外延）領(lǐng)域頭部廠商，方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商，以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級(jí)玩家。
上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品，將共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息，匯總?cè)缦拢?/p>
材料領(lǐng)域，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片，先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。
天科合達(dá)
首屆SEMiBAY灣芯展，天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品，顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。
目前，天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯(cuò)密度控制技術(shù)、低層錯(cuò)密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率＞99%，表面缺陷＜0.2個(gè)/cm2。
天岳先進(jìn)
本屆SEMiBAY灣芯展，天岳先進(jìn)帶來(lái)了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類(lèi)產(chǎn)品。
其中，天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器和車(chē)載充電系統(tǒng)，并得到充分驗(yàn)證，能夠滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，有效提升晶圓制備利用率，產(chǎn)品滿(mǎn)足芯片最高安全需求，保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。
南砂晶圓
本屆SEMiBAY灣芯展，南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。
今年6月22日，南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天，南砂晶圓董事長(zhǎng)王垚浩在受訪時(shí)表示，碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快。今后三年，南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。
中環(huán)領(lǐng)先
作為光伏頭部廠商之一，中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。
近年來(lái)，通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測(cè)股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。
天域半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。
天域于2021年開(kāi)始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲(chǔ)備，并于2023年7月啟動(dòng)8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過(guò)千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。
瀚天天成
本屆SEMiBAY灣芯展，瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商，瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過(guò)12個(gè)月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。
瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)（所有點(diǎn)容差）、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長(zhǎng)技術(shù)、大管芯高良率外延生長(zhǎng)技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
江豐電子
本屆SEMiBAY灣芯展，江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。
目前，江豐電子正在通過(guò)其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶(hù)認(rèn)可。
先導(dǎo)集團(tuán)
本屆SEMiBAY灣芯展，先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。
目前，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長(zhǎng)的2-6英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底(無(wú)摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn)，以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯(cuò)砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶(hù)需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時(shí)，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底，包括半絕緣磷化銦襯底（摻Fe）和半導(dǎo)體磷化銦襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯(cuò)磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶(hù)需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。
器件領(lǐng)域，方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車(chē)用碳化硅MOSFET和模塊，顯示了碳化硅加速“上車(chē)”趨勢(shì)。
方正微電子
本屆SEMiBAY灣芯展，方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車(chē)規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。
在SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上，方正微電子發(fā)布了車(chē)規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，覆蓋了新能源汽車(chē)應(yīng)用的全場(chǎng)景。其中，1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場(chǎng)景。目前，方正微電子車(chē)規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用，特別是已在新能源汽車(chē)主驅(qū)控制器上規(guī)模上車(chē)。
華潤(rùn)微電子
本屆SEMiBAY灣芯展，華潤(rùn)微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、車(chē)載OBC等場(chǎng)景。
在氮化鎵領(lǐng)域，2024年上半年，華潤(rùn)微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤(rùn)微采用新型的GaN控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開(kāi)發(fā)原邊、副邊控制芯片，及GaN驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案，最大輸出功率可達(dá)65W。
至信微電子
本屆SEMiBAY灣芯展，至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。
至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證，并通過(guò)了HV-H3TRB測(cè)試。其中，1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)取得了AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證，通過(guò)了960V HV-H3TRB測(cè)試，1200V、750V系列MOSFET已通過(guò)HTRB(175°C/100%BV)1000小時(shí)、HVH3TRB（高壓）1000小時(shí)等多項(xiàng)可靠性考核。
基本半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展，基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類(lèi)工業(yè)級(jí)/汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，其中，汽車(chē)級(jí)碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車(chē)、商用車(chē)等的電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場(chǎng)景，工業(yè)級(jí)碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場(chǎng)景。
今年9月26日，廣汽埃安旗下埃安AION RT開(kāi)啟全球預(yù)售，搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。
設(shè)備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來(lái)了碳化硅產(chǎn)線各個(gè)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備，各有千秋。
晶盛機(jī)電
本屆SEMiBAY灣芯展，晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。
作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。
納設(shè)智能
本屆SEMiBAY灣芯展，納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。
其中，納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶(hù)，也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上，納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，能提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前，該設(shè)備已銷(xiāo)售給多個(gè)客戶(hù)。
優(yōu)睿譜
本屆SEMiBAY灣芯展，優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測(cè)設(shè)備SICD200，6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率（載流子濃度）測(cè)量設(shè)備SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測(cè)設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。
優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中，SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測(cè)的整片晶圓全檢測(cè)，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測(cè)量，已得到多家客戶(hù)的訂單。今年6月，優(yōu)睿譜再交付客戶(hù)一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200。
北方華創(chuàng)
本屆SEMiBAY灣芯展，北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。
北方華創(chuàng)專(zhuān)注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)，在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。
中微公司
本屆SEMiBAY灣芯展，中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。
中微公司主要擁有五類(lèi)設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5，已交付至國(guó)內(nèi)外客戶(hù)，并取得了重復(fù)訂單，而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開(kāi)發(fā)中。
卓興半導(dǎo)體
本屆SEMiBAY灣芯展，卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。
其中，AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓，支持多種來(lái)料，可選配不同工藝，無(wú)往復(fù)時(shí)間，效率提升60%；AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓，能夠同時(shí)支持4張2英寸晶圓。
快克芯裝備
本屆SEMiBAY灣芯展，快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。
其中，銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長(zhǎng)期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝。快克芯裝備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿(mǎn)足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。
思銳智能
本屆SEMiBAY灣芯展，思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200，采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù)，Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。
思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜（ALD）設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器（LDI）設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。
芯三代
本屆SEMiBAY灣芯展，芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。
芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)業(yè)設(shè)備，目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過(guò)溫場(chǎng)控制、流場(chǎng)控制等方面的設(shè)計(jì)，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長(zhǎng)時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長(zhǎng)控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢(shì)。
小結(jié)
本屆SEMiBAY灣芯展，三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品，彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。
在碳化硅材料端，各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型，8英寸襯底與外延將在未來(lái)2-3年逐步起量；在器件端，相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車(chē)用市場(chǎng)，以順應(yīng)新能源汽車(chē)大爆發(fā)帶來(lái)的產(chǎn)品需求，光伏、工業(yè)等場(chǎng)景也已成為熱門(mén)應(yīng)用方向；設(shè)備端，國(guó)內(nèi)廠商多點(diǎn)開(kāi)花，尋求國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)。
隨著碳化硅價(jià)格持續(xù)下跌，向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速，同時(shí)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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