上海新微半導體有限公司（下文簡稱“新微半導體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發(fā)完成。
該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低噪聲等一系列卓越性能，滿足射頻器件在復雜場景下的不同應用需求，如移動通信和無線網絡等領域。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據(jù)悉，新微半導體成立于2020年，專注于為光電、射頻和功率三大化合物半導體應用領域提供芯片制造平臺。產品服務于工業(yè)、消費電子、通信、生物醫(yī)療、汽車、新能源和微波等眾多應用領域。
5月，新微半導體宣布，基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圓的40V增強型（p-GaN）功率器件工藝平臺開發(fā)完成，正式發(fā)布量產。該工藝平臺采用業(yè)界領先的無金工藝和集成電路互聯(lián)，支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP)，相比傳統(tǒng)的硅基功率芯片，具有更低的導通電阻、更快的開關速度和更小的尺寸。
基于該工藝平臺生產的功率器件憑借低導通電阻和高可靠性等眾多優(yōu)勢，為低壓功率轉換場景提供更小物理尺寸、更輕重量和更節(jié)能的解決方案。憑借這些優(yōu)秀的特征，該工藝平臺可為終端應用市場提供具有卓越品質、更小面積和更低成本的功率產品，可廣泛用于手機、平板電腦和筆記本電腦等終端領域。
8月，新微半導體在PCIM Asia 2023展會上，對外展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺系列展品，并重點展示了面向不同終端應用領域的外延制造和晶圓代工產品以及先進的技術解決方案。（文：化合物半導體Morty整理）
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