近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進(jìn)展。
英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2
3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。
source：英飛凌
英飛凌表示，新一代CoolSiC MOSFET 650V和1200V產(chǎn)品與上一代相比，MOSFET的關(guān)鍵性能指標(biāo)（例如存儲(chǔ)能量和電荷）提高了20%，同時(shí)又不影響質(zhì)量和可靠性水平。
CoolSiC MOSFET G2技術(shù)繼續(xù)利用SiC的性能優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)更低的能量損耗，從而在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中提高效率，這對(duì)于光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車(chē)充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源等各種功率半導(dǎo)體應(yīng)用客戶(hù)來(lái)說(shuō)，將提供很大的優(yōu)勢(shì)。
與前幾代產(chǎn)品相比，配備 CoolSiC G2的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電站最多可減少10%的功率損耗，同時(shí)在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電容量?；贑oolSiC G2設(shè)備的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域，采用CoolSiC G2設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，從而降低每瓦成本。
“大趨勢(shì)需要新的、高效的方式來(lái)產(chǎn)生、傳輸和利用能源。憑借CoolSiC MOSFET G2，英飛凌將SiC性能提升到了一個(gè)新的水平?！庇w凌綠色工業(yè)電力部門(mén)總裁Peter Wawer博士說(shuō)道，“新一代SiC技術(shù)能夠加速設(shè)計(jì)成本更加優(yōu)化、緊湊、可靠且高效的系統(tǒng)，從而節(jié)省能源并減少現(xiàn)場(chǎng)安裝的每瓦特的CO2排放量?！?/p>
羅姆GaN器件被臺(tái)達(dá)電子采用
羅姆今（6）日宣布，旗下650V GaN器件（EcoGaN）被臺(tái)達(dá)電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器（快速充電器）“C4 Duo”采用。
source：羅姆
據(jù)介紹，臺(tái)達(dá)是基于IoT技術(shù)的綠色解決方案全球供應(yīng)商。
羅姆指出，Innergie的AC適配器通過(guò)搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”，提高了產(chǎn)品性能和可靠性的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了小型化。
羅姆表示，GaN的潛力很大，但處理起來(lái)卻很難，目前羅姆正在推進(jìn)注重“易用性”的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)并提供相關(guān)解決方案。在分立產(chǎn)品方面，羅姆已于2022年開(kāi)始量產(chǎn)150V耐壓的GaN HEMT，并于2023年開(kāi)始量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高性能（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）的650V耐壓GaN HEMT。
集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理
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