文章分類： 功率

智新半導體首批自主碳化硅功率模塊下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 | | 分類: 功率
近日，智新半導體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊，該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。 據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目于2021年進行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項為量產(chǎn)項目。該項目以智新半導體封裝技術為引領，實現(xiàn)了從模塊設計、封裝測試、電控應用到整...  [詳內(nèi)文]

中電化合物完成交付首批8吋SiC外延片產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 | | 分類: 功率
10月31日，中電化合物半導體有限公司（CECS）宣布成功向客戶交付首批次8吋SiC外延片產(chǎn)品，這標志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上新臺階，可為行業(yè)提供更加先進的技術支持，從而推動碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。 據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅...  [詳內(nèi)文]

Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關IC

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
| 分類: 功率
Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同...  [詳內(nèi)文]

新微半導體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
| 分類: 功率
上海新微半導體有限公司（下文簡稱“新微半導體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發(fā)完成。 該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內(nèi)文]

基本半導體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 | | 分類: 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動上，基本半導體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
| 分類: 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動平臺表示，公司8英寸SiC襯底處于研發(fā)驗證階段，已有小批量訂單，將持續(xù)推進驗證量產(chǎn)進程。 今年1月，東尼半導體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協(xié)議，今年東尼半導體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片...  [詳內(nèi)文]

8英寸時代：國產(chǎn)SiC襯底如何升級？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
| 分類: 功率
當下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領域迸射出的強烈需求，正驅動著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展，與此同時多方紛紛加強研發(fā)力度，旨在突破技術壁壘，搶占市場先機。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個拐點尺寸：8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合上汽/小鵬/寧王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
| 分類: 功率
今年8月31日，中芯國際關聯(lián)公司——中芯集成宣布，擬與碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈上下游重要參與者、關聯(lián)方共同設立控股子公司芯聯(lián)動力科技（紹興）有限公司（“芯聯(lián)動力”），以優(yōu)化公司在SiC等化合物半導體領域的布局。 10月25日晚間，中芯集成宣布芯聯(lián)動力正式成立，注冊資本5億元，其中，...  [詳內(nèi)文]

投資10億，正齊半導體SiC功率模塊項目落戶杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 25 日 13:52 | | 分類: 功率
10月19日，正齊半導體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項目在杭州開發(fā)區(qū)舉行簽約儀式。 正齊半導體（杭州）有限公司（下文簡稱“正齊半導體”）是馬來西亞上市公司正齊集團在中國的子公司，主要從事功率模塊、功率器件的研發(fā)和銷售。 據(jù)悉，正齊半導體杭州項目將在開發(fā)區(qū)投資建設第三代半導體模塊...  [詳內(nèi)文]

安森美的新SiC工廠完工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 17:08 |
| 分類: 功率
10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韓國富川的先進SiC 超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 200 mm SiC晶圓。 新的 150 mm/200 mm SiC 先進生產(chǎn)線及高科技公用設施建筑于 2022 年中期開始建設...  [詳內(nèi)文]