Tag Archives: 基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體與賀利氏電子達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 30 日 15:59 | 分類 企業(yè)
8月29日，在深圳舉行的PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，基本半導(dǎo)體與賀利氏電子舉行了戰(zhàn)略合作備忘錄簽約儀式。 據(jù)了解，基本半導(dǎo)體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出Pcore?2 DCM碳化硅MOSFET模塊
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 24 日 17:35 | 分類 功率
近日，基本半導(dǎo)體推出汽車級DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模塊Pcore?2，是專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的一款高功率密度碳化硅功率模塊，產(chǎn)品型號包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。 據(jù)介紹，該產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 30 日 17:36 | 分類 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動(dòng)上，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]