Tag Archives: GaN

香港首條超高真空氮化鎵外延片中試線啟動
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 18:00 | 分類 產業(yè)
7月30日，據香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司（以下簡稱麻省光子技術）聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動儀式。 圖片來源：拍信網正版圖庫 儀式上，專注研發(fā)氮化鎵外延技術的麻省光子技術宣布，該公司計劃于香港科學園設立...  [詳內文]

第三代半導體13項標準有新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 17:20 | 分類 功率
近日，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標準化委員會（CASAS）公布了13項標準新進展，包括2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準征求意見、9項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內文]

VisIC與賀利氏、PINK達成三方合作，發(fā)力GaN電動車用市場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
7月29日消息，電動汽車（EVs）氮化鎵（GaN）器件廠商VisIC宣布已與全球電子行業(yè)器件組裝和封裝材料廠商賀利氏和燒結設備制造商PINK達成合作，利用D3GaN技術開發(fā)一種先進的功率模塊。這種開創(chuàng)性的功率模塊基于氮化硅陶瓷基板、創(chuàng)新的銀（Ag）燒結工藝和先進的頂側互連技術，為...  [詳內文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 30 日 17:59 | 分類 功率
據天津經開區(qū)一泰達消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡稱德高化成）在天津經開區(qū)的施工現(xiàn)場打下第一根樁，標志著德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目正式開工建設。 據悉，第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產...  [詳內文]

1200V、12英寸晶圓，2家GaN廠商推出新品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 29 日 17:59 | 分類 企業(yè)
氮化鎵（GaN）器件因其高效率、高功率密度、高開關頻率和優(yōu)秀的導熱能力，正在被越來越多的汽車廠商和半導體廠商看好。近日，國內2家GaN廠商分別推出了新品，GaN上車進度再刷新。 宇騰科技推出1200V GaN功率器件 據陜西宇騰電子科技有限公司（以下簡稱“宇騰科技”）官微消息，公...  [詳內文]

預計年底量產，Apro Semicon開發(fā)出8英寸1200V GaN外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:55 | 分類 企業(yè)
據韓媒報道，Apro Semicon 24日宣布，公司已開發(fā)出8英寸1200V硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，并預計今年年底大規(guī)模投產。 報道稱，繼2021年引進對8英寸GaN的發(fā)展至關重要的MOCVD設備之后，Apro Semicon一直在推動GaN外延片的開發(fā)。經過約...  [詳內文]

化合物半導體晶圓廠商IQE預計上半年銷售額增長強勁
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)
7月23日，化合物半導體晶圓制造商IQE更新了最新業(yè)務發(fā)展情況，并計劃于2024年9月10日公布中期業(yè)績。IQE表示，2024年上半年收入增長符合管理層的預期，預計銷售額將至少達到6500萬英鎊（約6.1億人民幣），相較2023年上半年至少增長25%，相較2023年下半年可能增長...  [詳內文]

封頂、通線，2個第三代半導體項目取得新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 產業(yè)
近日，株洲諾天電熱科技有限公司（以下簡稱諾天科技）碳化硅半導體設備與基材生產基地、廣東中科半導體微納制造技術研究院（以下簡稱廣東微納院）半導體微納加工中試平臺等第三代半導體相關項目披露了最新進展。 圖片來源：拍信網正版圖庫 諾天科技碳化硅半導體設備與基材生產基地項目主體結構封頂...  [詳內文]

931萬，BlusGlass出售GaN專利給歐洲晶圓開發(fā)商
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 11 日 13:41 | 分類 企業(yè)
近日，半導體開發(fā)商BluGlass Limited宣布，通過轉讓專用晶圓上的氮化鎵(GaN)生長技術相關知識產權(IP)給代工客戶，公司已從一家歐洲晶圓開發(fā)商手中獲得了128萬美元（折合人民幣約931萬元）轉讓費。 圖片source：拍信網 基于一項有償開發(fā)合同，自2022年1...  [詳內文]

晶圓代工大廠出手，GaN新添2起收購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:56 | 分類 企業(yè)
步入7月，氮化鎵（GaN）領域新增兩起收購案。 格芯收購Tagore GaN技術和相關團隊 7月1日，晶圓代工大廠格芯（GF）宣布，公司收購了Tagore Technology經生產驗證的專有功率氮化鎵（GaN）IP產品組合。 source：拍信網 該產品組合是一種高功率密度解...  [詳內文]